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高引燃脈沖新HiPIMS模式下薄膜摩擦系數(shù)可降低到0.25
多層薄膜能顯著改善復(fù)雜環(huán)境下部件的性能和壽命，為獲得性能良好的膜層，研發(fā)團(tuán)隊(duì)提出了一種高引燃脈沖新HiPIMS放電技術(shù)。增加引燃脈沖的個(gè)數(shù)，強(qiáng)化了膜層的結(jié)合力，硬度以及摩擦磨損的性能。
新HiPIMS放電模式制備薄膜表面粗糙度僅為4.123nm
為獲得HiPIMS的高離化率-高沉積速率技術(shù)特征，我們?cè)谘芯恐刑岢鲆环N新型的HiPIMS放電模式，即電-磁場(chǎng)協(xié)同增強(qiáng)HiPIMS技術(shù)，該技術(shù)以外置電場(chǎng)和磁場(chǎng)雙場(chǎng)協(xié)同增強(qiáng)常規(guī)HiPIMS放電，增加濺射粒子離化率，改善薄膜的的沉積速率，制備的膜層性能優(yōu)異。
雙脈沖HiPIMS比傳統(tǒng)HiPIMS沉積速率提高近3倍
一種新型的高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術(shù)，即放電由脈寬短、電壓高的引燃脈沖和脈寬長(zhǎng)、電壓低的工作脈沖2部分組成的雙脈沖高功率脈沖磁控濺射技術(shù)，目的是解決傳統(tǒng)高功率脈沖磁控濺射沉積速率低的問(wèn)題。
脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式
脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖磁控濺射技術(shù)可以有效的抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷，同時(shí)可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列顯著優(yōu)點(diǎn)。
公司技術(shù)支撐團(tuán)隊(duì)有7篇文章選登《中國(guó)表面工程》雜志“高離化磁控技術(shù)與應(yīng)用”專(zhuān)刊
公司技術(shù)支撐團(tuán)隊(duì)有7篇文章選登《中國(guó)表面工程》雜志“高離化磁控技術(shù)與應(yīng)用”專(zhuān)刊，彰顯新鉑科技在高功率磁控濺射方面有較多的技術(shù)積累。
