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新型的真空鍍膜技術(shù)和材料的研究進(jìn)展如何？
原子層沉積（ALD）技術(shù)：具有原子級的厚度控制精度和優(yōu)異的膜層均勻性，可在復(fù)雜形狀的基底上實現(xiàn)高質(zhì)量鍍膜。目前在半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，如用于制備高介電常數(shù)的超薄絕緣層，以提高晶體管性能和降低功耗
真空鍍膜過程中可能出現(xiàn)哪些缺陷
針孔是真空鍍膜中較為常見的問題。這主要是由于鍍膜材料在沉積過程中，基片表面的微小雜質(zhì)、灰塵或者氣體殘留所導(dǎo)致。例如，在蒸發(fā)鍍膜時，如果基片清洗不夠徹底，表面殘留的顆粒會使鍍膜材料在其周圍無法均勻沉積，形成針孔。
高能脈沖PVD技術(shù)相比傳統(tǒng)PVD有何優(yōu)勢？
致密度更高：高能脈沖PVD在沉積過程中，能夠產(chǎn)生高密度的等離子體，使沉積粒子具有更高的能量，從而在基底上形成更致密的膜層。例如，在制備硬質(zhì)涂層時，其形成的膜層結(jié)構(gòu)更加緊密