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HiPIMS--高離化率

HiPIMS在高峰值電流500-1000A下，對金屬靶材Ti，Cr，Cu，Ta，TiAl，CrAl等形成高離化率輝光，離化率能達到80%以上。

HiPIMS--高結合力

HiPIMS高離化率配合脈沖偏壓電源同步實現(xiàn)對金屬離子的能量與分布進行調控，對基底進行金屬離子刻蝕清洗，實現(xiàn)在金屬和陶瓷、玻璃、光纖等絕緣基底實現(xiàn)高結合力，TiN在高速鋼劃痕結合力85N，在陶瓷基底金屬化Cu結合力測試達到115N/mm2。

HiPIMS--高致密性

HiPIMS高離化率使得在沉積硬質涂層與金屬涂層時，更易調控金屬離子對膜層的轟擊，能實現(xiàn)膜層的高致密性生長，與傳統(tǒng)DC/MF模式比較，膜層斷面致密光滑；在光纖金屬化焊接后，密封性能測試能達到4.4*10-9 Pa.m3/s。

HiPIMS--高繞射性（3D鍍膜均勻性）

HiPIMS電源在瞬間形成高峰值電流，形成高密度等離子體，使得異性工件成膜均勻性大幅提升，在側面、凹孔、通孔等形狀內部也能形成均勻致密涂層；HiPIMS技術沉積孔內側壁處膜層致密光滑，孔內金屬層方塊電阻更均勻且更低。

HiPIMS--微深孔鍍膜能力

HiPIMS形成超高密度等離子體與脈沖偏壓的脈沖同步配合，通過金屬離子濺射沉積和刻蝕方式實現(xiàn)微深孔內壁金屬化（孔徑40um，孔深500um）；在陶瓷微孔（深徑比為12）內壁金屬化膜層均勻致密，接近垂直生長。

HiPIMS--高亮度

HiPIMS形成超高密度等離子體，實現(xiàn)靶材和反應氣體的高離化率，得到高致密和表面光滑膜層。HiPIMS制備TiN亮度L值達到76.3，高于傳統(tǒng)MF亮度值8個點。TiCN玫瑰金亮度L值達到65，接近多弧裝飾鍍亮度值。

HiPIMS--刃口低損傷DLC涂層

HiPIMS超高離化率在脈沖偏壓等離子體鞘層作用下，膜層在刃口處均勻包裹生長，能保持刃口鋒利度；結合PECVD方法制備低損傷DLC涂層，硬度1500Hv，摩擦系數(shù)低于0.15，HSS結合力HF1，摻雜Ag，Cu具備抗菌效果。

HiPIMS--光學鍍膜領域

HiPIMS濺射靶材與反應氣體高離化率，使Ti、Nb、Si靶與氧氣反應濺射不會靶中毒，不存在遲滯曲線現(xiàn)象；制備的光學薄膜其致密度高，折射率相對更高，成膜的應力底。