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HiPIMS技術(shù)制備純金屬薄膜時(shí)，靶材的選擇需要考慮哪些因素？

HiPIMS 技術(shù)制備純金屬薄膜時(shí)，靶材的選擇需綜合考量多方面因素。

HIPiMS技術(shù)放電制備純金屬薄膜的優(yōu)勢(shì)

HiPIMS（高功率脈沖磁控濺射）放電在制備純金屬薄膜方面具有諸多顯著優(yōu)勢(shì)。

新型的真空鍍膜技術(shù)和材料的研究進(jìn)展如何？

原子層沉積（ALD）技術(shù)：具有原子級(jí)的厚度控制精度和優(yōu)異的膜層均勻性，可在復(fù)雜形狀的基底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量鍍膜。目前在半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，如用于制備高介電常數(shù)的超薄絕緣層，以提高晶體管性能和降低功耗

真空鍍膜過(guò)程中可能出現(xiàn)哪些缺陷

針孔是真空鍍膜中較為常見(jiàn)的問(wèn)題。這主要是由于鍍膜材料在沉積過(guò)程中，基片表面的微小雜質(zhì)、灰塵或者氣體殘留所導(dǎo)致。例如，在蒸發(fā)鍍膜時(shí)，如果基片清洗不夠徹底，表面殘留的顆粒會(huì)使鍍膜材料在其周圍無(wú)法均勻沉積，形成針孔。

高能脈沖PVD技術(shù)相比傳統(tǒng)PVD有何優(yōu)勢(shì)？

致密度更高：高能脈沖PVD在沉積過(guò)程中，能夠產(chǎn)生高密度的等離子體，使沉積粒子具有更高的能量，從而在基底上形成更致密的膜層。例如，在制備硬質(zhì)涂層時(shí)，其形成的膜層結(jié)構(gòu)更加緊密