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High Power Impulse Magnetron Sputtering（HiPIMS）是高功率脈沖磁控濺射技術(shù)，最早由1999年瑞典Kouznetsov等開發(fā)采用功率脈沖作為磁控濺射的供電模式，在保持相同平均功率，通過(guò)縮短脈沖電源的脈沖時(shí)間到30-300us，同時(shí)控制脈沖頻率在100-1000Hz，使得瞬間峰值功率增加三個(gè)數(shù)量級(jí)（如下圖所示），從而產(chǎn)生超高密度（1018至1019 m-3）等離子體，比傳統(tǒng)DCMS和MFMS等離子體密度（1014至1015 m-3）提升3到4數(shù)量級(jí)。

HiPIMS技術(shù)原理：