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HiPIMS技術(shù)和dcMS技術(shù)在微孔內(nèi)表面制備TiAlN薄膜的對比
新鉑科技，聚焦高能等離子體表面工程硬件和工藝。
潤滑油常用來提高微成形（金屬沖壓工藝尺寸的小型化）模具的使用壽命與加工精度，但是從污垢處理、產(chǎn)品污染和不穩(wěn)定成型性的角度來看，無潤滑油微成型工藝是行業(yè)的一個強烈需求。
對比陰極弧與HiPIMS對AlTiN沉積膜層的研究
目前制備硬質(zhì)合金涂層主要可采用PVD方式，而PVD沉積除磁控放電外，還有陰極弧放電進行涂層PVD沉積，相比磁控，陰極弧放電結(jié)構(gòu)簡單，已廣泛應(yīng)用于各種涂層技術(shù)的制備，如裝飾鍍層，其工藝沉積速率快。隨著工藝的要求逐漸提高，硬質(zhì)合金涂層在硬度等方面提出了更高的要求，
利用陽極層離子源在管道內(nèi)壁制備類金剛石涂層
陽極層離子源由于其簡單性和將氣體轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子束的能力而被廣泛研究，其主要功能是在使用期間360°范圍內(nèi)連續(xù)產(chǎn)生離子束。通過簡單地沿著直管或彎管牽引離子源就可以實現(xiàn)管道內(nèi)壁涂層的制備。利用傳統(tǒng)的物理氣相沉積如直流/射頻磁控濺射和PLD方法制備的類金剛石（DLC）涂層通常包含結(jié)構(gòu)缺陷，如針孔、孔洞和裂紋。
陰極弧放電不同反應(yīng)氣體等離子體對陰極的腐蝕研究
陰極弧放電已被經(jīng)常用于沉積不同的金屬膜，除常用的Ar用于直接濺射靶材沉積相應(yīng)的金屬薄膜外，含氮、含氧的薄膜也經(jīng)常在沉積過程中通過摻入O2和N2進行放電來獲得。不同于單質(zhì)Ar等離子體放電，N2與O2屬于反應(yīng)性氣體，等離子體過程更加復(fù)雜，因此在陰極弧表面形成不同的放電形式。
真空鍍膜技術(shù)的基本原理
真空鍍膜技術(shù)的基本原理
真空鍍膜技術(shù)是氣相物理沉積的方法之一，也稱為真空鍍膜。在真空條件下，涂層材料被蒸發(fā)器加熱升華，蒸發(fā)的顆粒直接流向基底，在基底表面沉積一層固體薄膜。
請問，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項？
請問，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項？
一、電源輸出線離腔體盡量近，電源線盡量短
為了保證脈沖電流波引入到真空腔體時波形不畸變，且衰減小。期望在系統(tǒng)中，脈沖電鍍電源與真空腔體的距離2-3m為佳，長線易對脈沖電流波形的上升、下降沿產(chǎn)生較大的影響，真空腔體打火時，滅弧效果有影響。
鍍膜電源在真空鍍膜（磁控濺射）中，脈沖偏壓電源為什么比直流電源好？
真空鍍膜一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。
鍍膜工藝生產(chǎn)和質(zhì)量控制要點
早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射，結(jié)合差工效低光澤差?，F(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過去自然蒸發(fā)無法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。