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鍍膜電源在真空鍍膜(磁控濺射)中,脈沖偏壓電源為什么比直流電源好?

真空鍍膜一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。

鍍膜工藝生產(chǎn)和質(zhì)量控制要點

早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射,結(jié)合差工效低光澤差?,F(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜,解決了過去自然蒸發(fā)無法加工的膜體品種,如鍍鈦鍍鋯等等。

影響真空鍍膜性能的因素有哪些?

蒸發(fā)速率的大小對沉積膜層的影響比較大。由于低的沉積速率形成的涂層結(jié)構(gòu)松散易產(chǎn)大顆粒沉積,為保證涂層結(jié)構(gòu)的致密性,選擇較高的蒸發(fā)速率是十分安全的。

真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)的區(qū)別

真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù)。濺射是指核能顆粒轟擊固體表面(目標(biāo)),使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。

磁控濺射技術(shù)分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射,分別有何作用?

磁控濺射可分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。直流(DC)磁控濺射與氣壓在一定范圍內(nèi)的濺射提高了電離率(盡可能小保持較高的電離率),提高了均勻度增加了壓力又保證了薄膜的純度,

HIPIMS脈沖磁控濺射的工作原理

脈沖磁控濺射是一種用矩形波電壓脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源的磁控濺射

真空鍍膜的方法有什么?

(1)真空蒸發(fā):將需要涂膜的基材清洗干凈,放入涂膜室。膜材料抽真空后加熱至高溫,使水蒸氣達(dá)到13.3Pa左右,水蒸氣分子飛到基板表面凝結(jié)成膜。

真空鍍膜的特點

真空鍍膜技術(shù)與濕法鍍膜技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點:

(1)膜材和基片材料選擇廣泛,膜厚可控制,可制備多種功能不同的功能膜。